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RQ3E180AJTB

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Herstellerteil
RQ3E180AJTB
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager
13191
Datenblätter online
RQ3E180AJTB PDF
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):30 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:18A (Ta), 30A (Tc)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):2.5V, 4.5V
  • rds auf (max) @ id, vgs:4.5mOhm @ 18A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1.5V @ 11mA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:39 nC @ 4.5 V
  • vgs (max):±12V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:4290 pF @ 15 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):2W (Ta), 30W (Tc)
  • Betriebstemperatur:150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Gerätepaket des Lieferanten:8-HSMT (3.2x3)
  • Paket / Koffer:8-PowerVDFN
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
InFortune versendet Bestellungen einmal täglich um ca. 17:00 Uhr, außer sonntags.
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Rückgabe / Garantie Rückkehr Rücksendungen werden normalerweise akzeptiert, wenn sie innerhalb von 30 Tagen ab Versanddatum abgeschlossen sind. Bitte wenden Sie sich an den Kundendienst, um eine Rücksendegenehmigung zu erhalten.
Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle InFortune-Käufe beinhalten ein 30-tägiges Geld-zurück-Recht sowie eine 90-tägige InFortune-Garantie gegen Herstellungsfehler.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden
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