RZQ050P01TR Preisdatenblatt ROHM Semiconductor| www.infortune-de.com

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Herstellerteil: RZQ050P01TR

Hersteller: ROHM Semiconductor

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - Single

Auf Lager: 10243

Datenblätter online: RZQ050P01TR PDF

RZQ050P01TRNotiz

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Serie:-
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Not For New Designs
fet-Typ:P-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):12 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:5A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):1.5V, 4.5V
rds auf (max) @ id, vgs:26mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:1V @ 1mA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:35 nC @ 4.5 V
vgs (max):±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:2850 pF @ 6 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):600mW (Ta)
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:TSMT6 (SC-95)
Paket / Koffer:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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