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QJD1210SA2

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Herstellerteil
QJD1210SA2
Hersteller
Powerex, Inc.
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Auf Lager
14569
Datenblätter online
QJD1210SA2 PDF
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Obsolete
  • fet-Typ:2 N-Channel (Dual)
  • fet-Funktion:Standard
  • Drain-Source-Spannung (vdss):1200V (1.2kV)
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:100A
  • rds auf (max) @ id, vgs:17mOhm @ 100A, 15V
  • vgs(th) (max) @ id:1.6V @ 34mA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:330nC @ 15V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:8200pF @ 10V
  • Leistung max:415W
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Chassis Mount
  • Paket / Koffer:Module
  • Gerätepaket des Lieferanten:Module
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle InFortune-Käufe beinhalten ein 30-tägiges Geld-zurück-Recht sowie eine 90-tägige InFortune-Garantie gegen Herstellungsfehler.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden
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