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NXH100B120H3Q0PTG

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Herstellerteil
NXH100B120H3Q0PTG
Hersteller
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT MODULE 1200V 50A 186W 22PIM
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - Module
Auf Lager
16670
Datenblätter online
-
  • Serie:-
  • Paket:Tray
  • Teilstatus:Active
  • igbt-Typ:Trench Field Stop
  • Aufbau:2 Independent
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1200 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):50 A
  • Leistung max:186 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.3V @ 15V, 50A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):200 µA
  • Eingangskapazität (cies) @ vce:9.075 nF @ 20 V
  • Eingang:Standard
  • NTC-Thermistor:No
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Chassis Mount
  • Paket / Koffer:Module
  • Gerätepaket des Lieferanten:22-PIM (55x32.5)
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle InFortune-Käufe beinhalten ein 30-tägiges Geld-zurück-Recht sowie eine 90-tägige InFortune-Garantie gegen Herstellungsfehler.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden
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