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BSM400D12P2G003

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Herstellerteil
BSM400D12P2G003
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
SILICON CARBIDE POWER MODULE. B
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Auf Lager
13414
Datenblätter online
-
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:2 N-Channel (Half Bridge)
  • fet-Funktion:Silicon Carbide (SiC)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):1200V (1.2kV)
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:400A (Tc)
  • rds auf (max) @ id, vgs:-
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 85mA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:-
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:38000pF @ 10V
  • Leistung max:2450W (Tc)
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:-
  • Paket / Koffer:Module
  • Gerätepaket des Lieferanten:Module
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Garantie Alle InFortune-Käufe beinhalten ein 30-tägiges Geld-zurück-Recht sowie eine 90-tägige InFortune-Garantie gegen Herstellungsfehler.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden
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