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DS1220AB-100IND

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Herstellerteil
DS1220AB-100IND
Hersteller
Maxim Integrated
Beschreibung
IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
Kategorie
integrierte Schaltkreise
Familie
Erinnerung
Auf Lager
18112
Datenblätter online
DS1220AB-100IND PDF
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Obsolete
  • Speichertyp:Non-Volatile
  • Speicherformat:NVSRAM
  • Technologie:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Speichergröße:16Kb (2K x 8)
  • Speicherschnittstelle:Parallel
  • Taktfrequenz:-
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite:100ns
  • Zugriffszeit:100 ns
  • Spannungsversorgung:4.75V ~ 5.25V
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Gerätepaket des Lieferanten:24-EDIP
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
InFortune versendet Bestellungen einmal täglich um ca. 17:00 Uhr, außer sonntags.
Nach dem Versand hängt die geschätzte Lieferzeit von den unten von Ihnen ausgewählten Spediteuren ab.
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DHL eCommerce, 12–22 Werktage.
FedEx International Priority, 3-7 Werktage.
EMS, 10-15 Werktage.
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Versandkosten Die Versandkosten für Ihre Bestellung finden Sie im Warenkorb.
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Sendungsverfolgung Wir werden Sie per E-Mail mit Sendungsverfolgungsnummer benachrichtigen, sobald die Bestellung versandt wurde.
Sie finden die Sendungsverfolgungsnummer auch im Bestellverlauf.
Rückgabe / Garantie Rückkehr Rücksendungen werden normalerweise akzeptiert, wenn sie innerhalb von 30 Tagen ab Versanddatum abgeschlossen sind. Bitte wenden Sie sich an den Kundendienst, um eine Rücksendegenehmigung zu erhalten.
Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle InFortune-Käufe beinhalten ein 30-tägiges Geld-zurück-Recht sowie eine 90-tägige InFortune-Garantie gegen Herstellungsfehler.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden
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