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APTMC120AM16CD3AG

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Herstellerteil
APTMC120AM16CD3AG
Hersteller
Roving Networks / Microchip Technology
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Auf Lager
11350
Datenblätter online
APTMC120AM16CD3AG PDF
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:2 N-Channel (Half Bridge)
  • fet-Funktion:Silicon Carbide (SiC)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):1200V (1.2kV)
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:131A (Tc)
  • rds auf (max) @ id, vgs:20mOhm @ 100A, 20V
  • vgs(th) (max) @ id:2.2V @ 5mA (Typ)
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:246nC @ 20V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:4750pF @ 1000V
  • Leistung max:625W
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Chassis Mount
  • Paket / Koffer:D-3 Module
  • Gerätepaket des Lieferanten:D3
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Garantie Alle InFortune-Käufe beinhalten ein 30-tägiges Geld-zurück-Recht sowie eine 90-tägige InFortune-Garantie gegen Herstellungsfehler.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden
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