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APT45GR65SSCD10

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Herstellerteil
APT45GR65SSCD10
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - einzeln
Auf Lager
10700
Datenblätter online
-
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Obsolete
  • igbt-Typ:NPT
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):118 A
  • Strom - Kollektor gepulst (icm):224 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.4V @ 15V, 45A
  • Leistung max:543 W
  • Schaltenergie:-
  • Eingabetyp:Standard
  • Gate-Gebühr:203 nC
  • td (ein/aus) bei 25 °c:15ns/100ns
  • Testbedingung:433V, 45A, 4.3Ohm, 15V
  • Rückwärtserholzeit (trr):80 ns
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Gerätepaket des Lieferanten:D3Pak
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle InFortune-Käufe beinhalten ein 30-tägiges Geld-zurück-Recht sowie eine 90-tägige InFortune-Garantie gegen Herstellungsfehler.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden
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