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TC58NYG2S0HBAI6

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Herstellerteil
TC58NYG2S0HBAI6
Hersteller
Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Beschreibung
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA
Kategorie
integrierte Schaltkreise
Familie
Erinnerung
Auf Lager
11690
Datenblätter online
TC58NYG2S0HBAI6 PDF
  • Serie:-
  • Paket:Tray
  • Teilstatus:Active
  • Speichertyp:Non-Volatile
  • Speicherformat:FLASH
  • Technologie:FLASH - NAND (SLC)
  • Speichergröße:4Gb (512M x 8)
  • Speicherschnittstelle:Parallel
  • Taktfrequenz:-
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite:25ns
  • Zugriffszeit:25 ns
  • Spannungsversorgung:1.7V ~ 1.95V
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:67-VFBGA
  • Gerätepaket des Lieferanten:67-VFBGA (6.5x8)
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Registrierte Luftpost, 15-30 Werktage
Versandkosten Die Versandkosten für Ihre Bestellung finden Sie im Warenkorb.
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Sendungsverfolgung Wir werden Sie per E-Mail mit Sendungsverfolgungsnummer benachrichtigen, sobald die Bestellung versandt wurde.
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Rückgabe / Garantie Rückkehr Rücksendungen werden normalerweise akzeptiert, wenn sie innerhalb von 30 Tagen ab Versanddatum abgeschlossen sind. Bitte wenden Sie sich an den Kundendienst, um eine Rücksendegenehmigung zu erhalten.
Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle InFortune-Käufe beinhalten ein 30-tägiges Geld-zurück-Recht sowie eine 90-tägige InFortune-Garantie gegen Herstellungsfehler.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden
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