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NXH35C120L2C2ESG

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Herstellerteil
NXH35C120L2C2ESG
Hersteller
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - Module
Auf Lager
11524
Datenblätter online
-
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Active
  • igbt-Typ:-
  • Aufbau:Three Phase Inverter with Brake
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1200 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):35 A
  • Leistung max:20 mW
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.4V @ 15V, 35A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):250 µA
  • Eingangskapazität (cies) @ vce:8.333 nF @ 20 V
  • Eingang:Three Phase Bridge Rectifier
  • NTC-Thermistor:Yes
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
  • Gerätepaket des Lieferanten:26-DIP
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle InFortune-Käufe beinhalten ein 30-tägiges Geld-zurück-Recht sowie eine 90-tägige InFortune-Garantie gegen Herstellungsfehler.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden
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