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EMD9T2R

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Herstellerteil
EMD9T2R
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - Arrays, vorgespannt
Auf Lager
13896
Datenblätter online
EMD9T2R PDF
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • Transistortyp:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (ic) (max):100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
  • Widerstand - Basis (r1):10kOhms
  • Widerstand - Emitter Basis (r2):47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:68 @ 5mA, 5V
  • vce Sättigung (max) @ ib, ic:300mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):500nA
  • Frequenz - Übergang:250MHz
  • Leistung max:150mW
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:SOT-563, SOT-666
  • Gerätepaket des Lieferanten:EMT6
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Garantie Alle InFortune-Käufe beinhalten ein 30-tägiges Geld-zurück-Recht sowie eine 90-tägige InFortune-Garantie gegen Herstellungsfehler.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden
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