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BCR198WH6327XTSA1

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Herstellerteil
BCR198WH6327XTSA1
Hersteller
IR (Infineon Technologies)
Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Auf Lager
13235
Datenblätter online
BCR198WH6327XTSA1 PDF
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)
  • Teilstatus:Not For New Designs
  • Transistortyp:PNP - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (ic) (max):100 mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50 V
  • Widerstand - Basis (r1):47 kOhms
  • Widerstand - Emitter Basis (r2):47 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:70 @ 5mA, 5V
  • vce Sättigung (max) @ ib, ic:300mV @ 500µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):100nA (ICBO)
  • Frequenz - Übergang:190 MHz
  • Leistung max:250 mW
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:SC-70, SOT-323
  • Gerätepaket des Lieferanten:PG-SOT323-3
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Garantie Alle InFortune-Käufe beinhalten ein 30-tägiges Geld-zurück-Recht sowie eine 90-tägige InFortune-Garantie gegen Herstellungsfehler.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden
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