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STS10DN3LH5

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Herstellerteil
STS10DN3LH5
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Auf Lager
17296
Datenblätter online
STS10DN3LH5 PDF
  • Serie:STripFET™ V
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:2 N-Channel (Dual)
  • fet-Funktion:Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (vdss):30V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:10A
  • rds auf (max) @ id, vgs:21mOhm @ 5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:1V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:4.6nC @ 5V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:475pF @ 25V
  • Leistung max:2.5W
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Gerätepaket des Lieferanten:8-SO
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Garantie Alle InFortune-Käufe beinhalten ein 30-tägiges Geld-zurück-Recht sowie eine 90-tägige InFortune-Garantie gegen Herstellungsfehler.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden
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