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APTM100H18FG

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Herstellerteil
APTM100H18FG
Hersteller
Roving Networks / Microchip Technology
Beschreibung
MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Auf Lager
15267
Datenblätter online
APTM100H18FG PDF
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:4 N-Channel (H-Bridge)
  • fet-Funktion:Standard
  • Drain-Source-Spannung (vdss):1000V (1kV)
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:43A
  • rds auf (max) @ id, vgs:210mOhm @ 21.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:5V @ 5mA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:372nC @ 10V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:10400pF @ 25V
  • Leistung max:780W
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Chassis Mount
  • Paket / Koffer:SP6
  • Gerätepaket des Lieferanten:SP6
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Garantie Alle InFortune-Käufe beinhalten ein 30-tägiges Geld-zurück-Recht sowie eine 90-tägige InFortune-Garantie gegen Herstellungsfehler.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden
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