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EM6M1T2R

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Herstellerteil
EM6M1T2R
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Auf Lager
16385
Datenblätter online
EM6M1T2R PDF
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Not For New Designs
  • fet-Typ:N and P-Channel
  • fet-Funktion:Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (vdss):30V, 20V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:100mA, 200mA
  • rds auf (max) @ id, vgs:8Ohm @ 10mA, 4V
  • vgs(th) (max) @ id:-
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:0.9nC @ 4.5V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:13pF @ 5V
  • Leistung max:150mW
  • Betriebstemperatur:150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:SOT-563, SOT-666
  • Gerätepaket des Lieferanten:EMT6
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle InFortune-Käufe beinhalten ein 30-tägiges Geld-zurück-Recht sowie eine 90-tägige InFortune-Garantie gegen Herstellungsfehler.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden
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