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SI6968BEDQ-T1-GE3

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Herstellerteil
SI6968BEDQ-T1-GE3
Hersteller
Vishay / Siliconix
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-TSSOP
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Auf Lager
12674
Datenblätter online
SI6968BEDQ-T1-GE3 PDF
  • Serie:TrenchFET®
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • fet-Funktion:Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (vdss):20V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:5.2A
  • rds auf (max) @ id, vgs:22mOhm @ 6.5A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1.6V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:18nC @ 4.5V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:-
  • Leistung max:1W
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Gerätepaket des Lieferanten:8-TSSOP
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle InFortune-Käufe beinhalten ein 30-tägiges Geld-zurück-Recht sowie eine 90-tägige InFortune-Garantie gegen Herstellungsfehler.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden
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