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US6M2TR

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Herstellerteil
US6M2TR
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Auf Lager
11570
Datenblätter online
US6M2TR PDF
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N and P-Channel
  • fet-Funktion:Standard
  • Drain-Source-Spannung (vdss):30V, 20V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:1.5A, 1A
  • rds auf (max) @ id, vgs:240mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1.5V @ 1mA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:2.2nC @ 4.5V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:80pF @ 10V
  • Leistung max:1W
  • Betriebstemperatur:150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:6-SMD, Flat Leads
  • Gerätepaket des Lieferanten:TUMT6
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle InFortune-Käufe beinhalten ein 30-tägiges Geld-zurück-Recht sowie eine 90-tägige InFortune-Garantie gegen Herstellungsfehler.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden
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