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MSCSM120AM31CT1AG

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Herstellerteil
MSCSM120AM31CT1AG
Hersteller
Roving Networks / Microchip Technology
Beschreibung
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP1F
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Auf Lager
18545
Datenblätter online
-
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:2 N Channel (Phase Leg)
  • fet-Funktion:Silicon Carbide (SiC)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):1200V (1.2kV)
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:89A (Tc)
  • rds auf (max) @ id, vgs:31mOhm @ 40A, 20V
  • vgs(th) (max) @ id:2.8V @ 1mA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:232nC @ 20V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:3020pF @ 1000V
  • Leistung max:395W (Tc)
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Chassis Mount
  • Paket / Koffer:Module
  • Gerätepaket des Lieferanten:SP1F
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle InFortune-Käufe beinhalten ein 30-tägiges Geld-zurück-Recht sowie eine 90-tägige InFortune-Garantie gegen Herstellungsfehler.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden
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