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NTMD6601NR2G

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Herstellerteil
NTMD6601NR2G
Hersteller
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Auf Lager
17131
Datenblätter online
NTMD6601NR2G PDF
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Obsolete
  • fet-Typ:2 N-Channel (Dual)
  • fet-Funktion:Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (vdss):80V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:1.1A
  • rds auf (max) @ id, vgs:215mOhm @ 2.2A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:15nC @ 10V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:400pF @ 25V
  • Leistung max:600mW
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Gerätepaket des Lieferanten:8-SOIC
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Garantie Alle InFortune-Käufe beinhalten ein 30-tägiges Geld-zurück-Recht sowie eine 90-tägige InFortune-Garantie gegen Herstellungsfehler.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden
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