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IRF7303TRPBF

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Herstellerteil
IRF7303TRPBF
Hersteller
IR (Infineon Technologies)
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Auf Lager
12652
Datenblätter online
IRF7303TRPBF PDF
  • Serie:HEXFET®
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:2 N-Channel (Dual)
  • fet-Funktion:Standard
  • Drain-Source-Spannung (vdss):30V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:4.9A
  • rds auf (max) @ id, vgs:50mOhm @ 2.4A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:1V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:25nC @ 10V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:520pF @ 25V
  • Leistung max:2W
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Gerätepaket des Lieferanten:8-SO
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle InFortune-Käufe beinhalten ein 30-tägiges Geld-zurück-Recht sowie eine 90-tägige InFortune-Garantie gegen Herstellungsfehler.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden
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