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2N2609

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Herstellerteil
2N2609
Hersteller
Roving Networks / Microchip Technology
Beschreibung
JFETS
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - JFETs
Auf Lager
18991
Datenblätter online
2N2609 PDF
  • Serie:-
  • Paket:Bag
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:P-Channel
  • Spannung - Durchbruch (v(br)gss):30 V
  • Drain-Source-Spannung (vdss):-
  • Strom - Drain (idss) @ vds (vgs=0):2 mA @ 5 V
  • Stromaufnahme (id) - max:10 mA
  • Spannung - Cutoff (vgs aus) @ id:750 mV @ 1 A
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:10pF @ 5V
  • Widerstand - rds(on):-
  • Leistung max:300 mW
  • Betriebstemperatur:-65°C ~ 200°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-18 (TO-206AA)
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