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TA9210D

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Herstellerteil
TA9210D
Hersteller
Tagore Technology
Beschreibung
RF GAN TRANSISTOR 12.5W
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Auf Lager
18202
Datenblätter online
-
  • Serie:*
  • Paket:Tray
  • Teilstatus:Active
  • Transistortyp:GaN HEMT
  • Frequenz:30MHz ~ 4GHz
  • gewinnen:18dB
  • Spannung - testen:32 V
  • Nennstrom (Ampere):700mA
  • Rauschzahl:-
  • Aktueller Test:50 mA
  • Leistung:12.5W
  • Spannung - bewertet:120 V
  • Paket / Koffer:-
  • Gerätepaket des Lieferanten:-
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