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BFR181E6327

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Herstellerteil
BFR181E6327
Hersteller
IR (Infineon Technologies)
Beschreibung
LOW-NOISE TRANSISTOR
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Auf Lager
19021
Datenblätter online
-
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • Transistortyp:NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):12V
  • Frequenz - Übergang:8GHz
  • Rauschzahl (db typ @ f):0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
  • gewinnen:18.5dB
  • Leistung max:175mW
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:70 @ 5mA, 8V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):20mA
  • Betriebstemperatur:150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Gerätepaket des Lieferanten:SOT-23-3
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden
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