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MT3S111(TE85L,F)

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Herstellerteil
MT3S111(TE85L,F)
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Beschreibung
RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ SMINI
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Auf Lager
12642
Datenblätter online
MT3S111(TE85L,F) PDF
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • Transistortyp:NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):6V
  • Frequenz - Übergang:11.5GHz
  • Rauschzahl (db typ @ f):1.2dB @ 1GHz
  • gewinnen:12dB
  • Leistung max:700mW
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:200 @ 30mA, 5V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):100mA
  • Betriebstemperatur:150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Gerätepaket des Lieferanten:S-Mini
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Garantie Alle InFortune-Käufe beinhalten ein 30-tägiges Geld-zurück-Recht sowie eine 90-tägige InFortune-Garantie gegen Herstellungsfehler.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden
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