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NSVMMBTH10LT1G

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Herstellerteil
NSVMMBTH10LT1G
Hersteller
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Auf Lager
12212
Datenblätter online
NSVMMBTH10LT1G PDF
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • Transistortyp:NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):25V
  • Frequenz - Übergang:650MHz
  • Rauschzahl (db typ @ f):-
  • gewinnen:-
  • Leistung max:225mW
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:60 @ 4mA, 10V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):-
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Gerätepaket des Lieferanten:SOT-23
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Garantie Alle InFortune-Käufe beinhalten ein 30-tägiges Geld-zurück-Recht sowie eine 90-tägige InFortune-Garantie gegen Herstellungsfehler.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden
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