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STGD4M65DF2

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Herstellerteil
STGD4M65DF2
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - einzeln
Auf Lager
12686
Datenblätter online
STGD4M65DF2 PDF
  • Serie:M
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • igbt-Typ:Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):8 A
  • Strom - Kollektor gepulst (icm):16 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 4A
  • Leistung max:68 W
  • Schaltenergie:40µJ (on), 136µJ (off)
  • Eingabetyp:Standard
  • Gate-Gebühr:15.2 nC
  • td (ein/aus) bei 25 °c:12ns/86ns
  • Testbedingung:400V, 4A, 47Ohm, 15V
  • Rückwärtserholzeit (trr):133 ns
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Gerätepaket des Lieferanten:DPAK
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle InFortune-Käufe beinhalten ein 30-tägiges Geld-zurück-Recht sowie eine 90-tägige InFortune-Garantie gegen Herstellungsfehler.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden
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