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RGTH50TS65GC11

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Herstellerteil
RGTH50TS65GC11
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
IGBT 650V 50A 174W TO-247N
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - einzeln
Auf Lager
18855
Datenblätter online
RGTH50TS65GC11 PDF
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Active
  • igbt-Typ:Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):50 A
  • Strom - Kollektor gepulst (icm):100 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 25A
  • Leistung max:174 W
  • Schaltenergie:-
  • Eingabetyp:Standard
  • Gate-Gebühr:49 nC
  • td (ein/aus) bei 25 °c:27ns/94ns
  • Testbedingung:400V, 25A, 10Ohm, 15V
  • Rückwärtserholzeit (trr):-
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:TO-247-3
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-247N
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle InFortune-Käufe beinhalten ein 30-tägiges Geld-zurück-Recht sowie eine 90-tägige InFortune-Garantie gegen Herstellungsfehler.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden
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