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HGT1S10N120BNST

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Herstellerteil
HGT1S10N120BNST
Hersteller
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - einzeln
Auf Lager
14829
Datenblätter online
HGT1S10N120BNST PDF
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • igbt-Typ:NPT
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1200 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):35 A
  • Strom - Kollektor gepulst (icm):80 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.7V @ 15V, 10A
  • Leistung max:298 W
  • Schaltenergie:320µJ (on), 800µJ (off)
  • Eingabetyp:Standard
  • Gate-Gebühr:100 nC
  • td (ein/aus) bei 25 °c:23ns/165ns
  • Testbedingung:960V, 10A, 10Ohm, 15V
  • Rückwärtserholzeit (trr):-
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-263AB
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Rückgabe / Garantie Rückkehr Rücksendungen werden normalerweise akzeptiert, wenn sie innerhalb von 30 Tagen ab Versanddatum abgeschlossen sind. Bitte wenden Sie sich an den Kundendienst, um eine Rücksendegenehmigung zu erhalten.
Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle InFortune-Käufe beinhalten ein 30-tägiges Geld-zurück-Recht sowie eine 90-tägige InFortune-Garantie gegen Herstellungsfehler.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden
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