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RGW80TK65DGVC11

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Herstellerteil
RGW80TK65DGVC11
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - einzeln
Auf Lager
18139
Datenblätter online
RGW80TK65DGVC11 PDF
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Active
  • igbt-Typ:Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):39 A
  • Strom - Kollektor gepulst (icm):160 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:1.9V @ 15V, 40A
  • Leistung max:81 W
  • Schaltenergie:760µJ (on), 720µJ (off)
  • Eingabetyp:Standard
  • Gate-Gebühr:110 nC
  • td (ein/aus) bei 25 °c:44ns/143ns
  • Testbedingung:400V, 40A, 10Ohm, 15V
  • Rückwärtserholzeit (trr):92 ns
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:TO-3PFM, SC-93-3
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-3PFM
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
InFortune versendet Bestellungen einmal täglich um ca. 17:00 Uhr, außer sonntags.
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Rückgabe / Garantie Rückkehr Rücksendungen werden normalerweise akzeptiert, wenn sie innerhalb von 30 Tagen ab Versanddatum abgeschlossen sind. Bitte wenden Sie sich an den Kundendienst, um eine Rücksendegenehmigung zu erhalten.
Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle InFortune-Käufe beinhalten ein 30-tägiges Geld-zurück-Recht sowie eine 90-tägige InFortune-Garantie gegen Herstellungsfehler.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden
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