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FGA30N120FTDTU

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Herstellerteil
FGA30N120FTDTU
Hersteller
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT 1200V 60A 339W TO3P
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - einzeln
Auf Lager
12717
Datenblätter online
FGA30N120FTDTU PDF
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Last Time Buy
  • igbt-Typ:Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1200 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):60 A
  • Strom - Kollektor gepulst (icm):90 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2V @ 15V, 30A
  • Leistung max:339 W
  • Schaltenergie:-
  • Eingabetyp:Standard
  • Gate-Gebühr:208 nC
  • td (ein/aus) bei 25 °c:-
  • Testbedingung:-
  • Rückwärtserholzeit (trr):730 ns
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:TO-3P-3, SC-65-3
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-3PN
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle InFortune-Käufe beinhalten ein 30-tägiges Geld-zurück-Recht sowie eine 90-tägige InFortune-Garantie gegen Herstellungsfehler.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden
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