SCTWA10N120 Preisdatenblatt STMicroelectronics| www.infortune-de.com

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Herstellerteil: SCTWA10N120

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: IC POWER MOSFET 1200V HIP247

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - Single

Auf Lager: 15939

Datenblätter online: -

SCTWA10N120Notiz

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Serie:*
Paket:Tube
Teilstatus:Active
fet-Typ:-
Technologie:-
Drain-Source-Spannung (vdss):-
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:-
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):-
rds auf (max) @ id, vgs:-
vgs(th) (max) @ id:-

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:-
vgs (max):-
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:-
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):-
Betriebstemperatur:-
Befestigungsart:-
Gerätepaket des Lieferanten:-
Paket / Koffer:-

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