3N164 DIE Preisdatenblatt Linear Integrated Systems, Inc.| www.infortune-de.com

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Herstellerteil: 3N164 DIE

Hersteller: Linear Integrated Systems, Inc.

Beschreibung: P-CHANNEL, SINGLE ENHANCEMENT MO

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - Single

Auf Lager: 19103

Datenblätter online: -

3N164 DIENotiz

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Serie:-
Paket:Tray
Teilstatus:Active
fet-Typ:P-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):30 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:50mA
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):20V
rds auf (max) @ id, vgs:300Ohm @ 100µA, 20V
vgs(th) (max) @ id:5V @ 10µA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:-
vgs (max):-6.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:3.5 pF @ 15 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):-
Betriebstemperatur:-
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:Die
Paket / Koffer:Die

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