CSD19538Q3AT Preisdatenblatt Texas Instruments| www.infortune-de.com

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Herstellerteil: CSD19538Q3AT

Hersteller: Texas Instruments

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - Single

Auf Lager: 19075

Datenblätter online: -

CSD19538Q3ATNotiz

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Serie:NexFET™
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):100 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:15A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):6V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:59mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3.8V @ 250µA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:4.3 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:454 pF @ 50 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):2.8W (Ta), 23W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:8-VSONP (3x3.15)
Paket / Koffer:8-PowerVDFN

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