CSD18536KTT Preisdatenblatt Texas Instruments| www.infortune-de.com

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Herstellerteil: CSD18536KTT

Hersteller: Texas Instruments

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - Single

Auf Lager: 19847

Datenblätter online: -

CSD18536KTTNotiz

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Serie:NexFET™
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):60 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:200A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:1.6mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.2V @ 250µA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:140 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:11430 pF @ 30 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):375W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:DDPAK/TO-263-3
Paket / Koffer:TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

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