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CSD25501F3

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Herstellerteil
CSD25501F3
Hersteller
Texas Instruments
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 3.6A 3LGA
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager
19808
Datenblätter online
-
  • Serie:FemtoFET™
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:P-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):20 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:3.6A (Ta)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):1.8V, 4.5V
  • rds auf (max) @ id, vgs:76mOhm @ 400mA, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1.05V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:1.33 nC @ 4.5 V
  • vgs (max):-20V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:385 pF @ 10 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):500mW (Ta)
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Gerätepaket des Lieferanten:3-LGA (0.73x0.64)
  • Paket / Koffer:3-XFLGA
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle InFortune-Käufe beinhalten ein 30-tägiges Geld-zurück-Recht sowie eine 90-tägige InFortune-Garantie gegen Herstellungsfehler.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden
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