SIHH11N65EF-T1-GE3 Preisdatenblatt Vishay / Siliconix| www.infortune-de.com

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Herstellerteil: SIHH11N65EF-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 11A PPAK 8 X 8

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - Single

Auf Lager: 12412

Datenblätter online: SIHH11N65EF-T1-GE3 PDF

SIHH11N65EF-T1-GE3Notiz

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Serie:-
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):650 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:11A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
rds auf (max) @ id, vgs:382mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:70 nC @ 10 V
vgs (max):±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1243 pF @ 100 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):130W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:PowerPAK® 8 x 8
Paket / Koffer:8-PowerTDFN

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