RJK0330DPB-01#J0 Preisdatenblatt Renesas Electronics America| www.infortune-de.com

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Herstellerteil: RJK0330DPB-01#J0

Hersteller: Renesas Electronics America

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - Single

Auf Lager: 14153

Datenblätter online: RJK0330DPB-01#J0 PDF

RJK0330DPB-01#J0Notiz

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Serie:-
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):30 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:45A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:2.7mOhm @ 22.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:-

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:27 nC @ 4.5 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:4300 pF @ 10 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):55W (Tc)
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:LFPAK
Paket / Koffer:SC-100, SOT-669

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