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IRLML6344TRPBF

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Herstellerteil
IRLML6344TRPBF
Hersteller
IR (Infineon Technologies)
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager
11625
Datenblätter online
IRLML6344TRPBF PDF
  • Serie:HEXFET®
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):30 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:5A (Ta)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):2.5V, 4.5V
  • rds auf (max) @ id, vgs:29mOhm @ 5A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1.1V @ 10µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:6.8 nC @ 4.5 V
  • vgs (max):±12V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:650 pF @ 25 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):1.3W (Ta)
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Gerätepaket des Lieferanten:Micro3™/SOT-23
  • Paket / Koffer:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
InFortune versendet Bestellungen einmal täglich um ca. 17:00 Uhr, außer sonntags.
Nach dem Versand hängt die geschätzte Lieferzeit von den unten von Ihnen ausgewählten Spediteuren ab.
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DHL eCommerce, 12–22 Werktage.
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Versandkosten Die Versandkosten für Ihre Bestellung finden Sie im Warenkorb.
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Rückgabe / Garantie Rückkehr Rücksendungen werden normalerweise akzeptiert, wenn sie innerhalb von 30 Tagen ab Versanddatum abgeschlossen sind. Bitte wenden Sie sich an den Kundendienst, um eine Rücksendegenehmigung zu erhalten.
Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle InFortune-Käufe beinhalten ein 30-tägiges Geld-zurück-Recht sowie eine 90-tägige InFortune-Garantie gegen Herstellungsfehler.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden
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