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TK4R3E06PL,S1X

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Herstellerteil
TK4R3E06PL,S1X
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 80A TO220
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager
13237
Datenblätter online
TK4R3E06PL,S1X PDF
  • Serie:U-MOSIX-H
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):60 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:80A (Tc)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
  • rds auf (max) @ id, vgs:7.2mOhm @ 15A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 500µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:48.2 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:3280 pF @ 30 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):87W (Tc)
  • Betriebstemperatur:175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-220
  • Paket / Koffer:TO-220-3
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle InFortune-Käufe beinhalten ein 30-tägiges Geld-zurück-Recht sowie eine 90-tägige InFortune-Garantie gegen Herstellungsfehler.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden
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