SI7804DN-T1-E3 Preisdatenblatt Vishay / Siliconix| www.infortune-de.com

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Herstellerteil: SI7804DN-T1-E3

Hersteller: Vishay / Siliconix

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK1212-8

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - Single

Auf Lager: 11042

Datenblätter online: SI7804DN-T1-E3 PDF

SI7804DN-T1-E3Notiz

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Serie:TrenchFET®
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):30 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:6.5A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:18.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:1.8V @ 250µA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:13 nC @ 5 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:-
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):1.5W (Ta)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer:PowerPAK® 1212-8

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