SI4850BDY-T1-GE3 Preisdatenblatt Vishay / Siliconix| www.infortune-de.com

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Herstellerteil: SI4850BDY-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - Single

Auf Lager: 19024

Datenblätter online: SI4850BDY-T1-GE3 PDF

SI4850BDY-T1-GE3Notiz

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Serie:TrenchFET® Gen IV
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):60 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:8.4A (Ta), 11.3A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:19.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.8V @ 250µA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:17 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:790 pF @ 30 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:8-SO
Paket / Koffer:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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